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半導體前沿技術研發(fā)中心竣工環(huán)境保護驗收公示

發(fā)表日期： 2023年04月25日發(fā)表者：管理員

半導體前沿技術研發(fā)中心竣工環(huán)境保護驗收公示

根據(jù)《國務院關于修改〈建設項目竣工環(huán)境保護管理條例〉的決定》（國務院令第682號），以及環(huán)保部《關于發(fā)布〈建設項目竣工環(huán)境保護驗收暫行辦法〉的公告》（國環(huán)規(guī)環(huán)評〔2017〕4號），現(xiàn)將《半導體前沿技術研發(fā)中心竣工環(huán)境保護驗收監(jiān)測報告表》及驗收意見公示如下：

項目名稱：半導體前沿技術研發(fā)中心

建設地址：高新大道999號未來科技城G2棟2樓

建設單位：華引芯（武漢）科技有限公司

建設內容：租用武漢新能源研究院有限公司未來科技城武漢新能源大樓G2棟2樓4間空置房間作為研發(fā)中心用凈化間實驗室，新建半導體前沿技術研發(fā)中心，建筑面積780.4m²。項目租用區(qū)域已經(jīng)基本建成，只需要安裝設備儀器等。項目主體工程包括會議室、辦公室、成品實驗室、封裝實驗室、可靠性實驗室、測試實驗室、MINI實驗室、倉庫、危廢暫存間等。本項目主要進行高端LED光源、半導體器件封測等技術研發(fā)、測試、檢測等，預計年測試研發(fā)量為1000套/年。